圣安东尼奥，2024年7月9日/美通社/——Frost & Sullivan最近研究了GaN半导体行业，并根据其研究结果，授予QROMIS 2024年全球使能技术领导奖。QROMIS是一家世界级的先进半导体技术供应商，提供高性能材料解决方案，帮助全球企业加强数字化转型，提高效率，并提高多个市场的生产力，包括功率和射频(RF)电子，发光二极管(led)和先进显示器。
QROMIS利用其颠覆性和专利的QST®衬底创新(受约300项全球专利保护)来开发GaN器件，从而降低成本并提高可靠性。CMOS晶圆厂友好型和SEMI标准厚度QST®确保与标准半导体制造工艺的兼容性，促进期待已久的可扩展性和可持续性，实现卓越的导热性，并降低能耗。
突破性的QST®衬底技术具有嵌入式高导热性和高机械强度的核心材料，其热膨胀系数与GaN/AlGaN外延层在宽温度范围内的热膨胀系数非常接近，可在200毫米和300毫米主流CMOS生产平台上实现晶圆破裂/无应力，可扩展，低成本和高性能的GaN功率器件制造。这些独特的特性不仅使主流的横向GaN功率器件成为可能，而且使人们期待已久的商用垂直GaN功率开关和整流器适用于目前由Si igbt和SiC功率场效应管和二极管主导的高压和大电流应用。
QST®是在传统的CMOS晶圆厂中组装和制造的，在制造工艺和成本方面与主流的绝缘体上硅(SOI)基板非常相似，并利用节能的最先进的半导体工艺工具，良率超过98%，工艺周期时间不到7天。这是QST®创新的关键组成部分，该创新是根据行业的预计成本和可持续性/净零要求精心设计的，与制造原生GaN衬底或非原生碳化硅(SiC)和蓝宝石衬底非常不同。
QST®技术的关键特征之一是通过强大的晶圆形状控制，外延均匀性和消除昂贵和复杂的应变管理层，实现高产量和低成本的GaN外延生长过程，从而将外延生长时间缩短50%。这对于降低氮化镓器件的整体成本是一项极其重要和跨越式的成就。
QROMIS成功的关键因素之一是其致力于推动GaN技术在多个细分市场的采用。该公司与全球工业合作伙伴合作，利用他们的制造平台，确保QST®平台的可扩展性和广泛采用，QST®平台已被证明是行业的游戏规则改变者，允许GaN功率器件在200毫米和300毫米直径上超过650 V阈值至2000 V甚至更高，同时保持高性能和可靠性。除了氮化镓电力电子，这项突破性的颠覆性技术也有利于实现氮化镓射频和微led应用的重大进步，所有应用都可以在同一平台上制造，以实现业务扩展、规模经济和可持续性。
广告“Frost & Sullivan对QROMIS创新的QST®表示赞赏，该®有效地解决了GaN半导体市场的可扩展性、成本和可靠性挑战。Frost & Sullivan半导体项目行业负责人Prabhu Karunakaran表示:“QST®将在加速高可靠性GaN器件的商业化方面发挥关键作用，同时展示应用的多功能性和未来发展的可扩展性。”
该公司将自己定位为衬底市场的创新领导者，能够在200mm直径平台上开发各种器件架构的高质量GaN功率电子产品(从100到2000 V及以上的横向和垂直功率开关，晶圆级单片集成电路和整流器)，以满足现代应用的严格要求和不断变化的市场需求。此外，QROMIS继续扩展其技术路线图，将其工艺技术平台过渡到300毫米QST®晶圆(2024年下半年开始采样)。这一战略举措将进一步降低成本，并解决获得最先进的300毫米器件制造工艺和工具(如高分辨率光刻)的挑战，这对下一代GaN电源、射频和微led应用至关重要。
通过推进其技术以支持更大的晶圆尺寸，QROMIS准备颠覆氮化镓市场并推动加速增长。这远远领先于一些竞争技术，这些技术预计不会在短期内推出300毫米晶圆基GaN。该公司的前瞻性思维为其提供了竞争对手不太可能复制的关键竞争优势，确保其技术长期保持在创新的前沿。
“QROMIS在其早期商业化成功的基础上，不断展示创新、创造和专注于各种应用的努力，加速GaN在电源、射频和微型led市场的渗透。因此，该公司处于有利地位，将经历高于GaN器件市场的持续增长，”Karunakaran指出。
广告每年，弗若斯特沙利文公司都会颁发这个奖项给那些开发出先进技术的公司，这些技术可以增强现有产品，并使新产品和应用开发成为可能。该奖项旨在表彰获奖者的技术具有很高的市场接受潜力。
Frost & Sullivan最佳实践奖旨在表彰各地区和全球市场中在领导力、技术创新、客户服务和战略产品开发方面取得杰出成就和卓越表现的公司。行业分析师通过深入访谈、分析和广泛的二次研究来比较市场参与者和衡量绩效，以确定行业中的最佳实践。
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一个布特QROMIS
QROMIS, Inc.由Cem Basceri和Vladimir Odnoblyudov于2015年创立，是一家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的私营无晶圆厂技术创新者。它专注于节能和高性能宽带隙(WBG)半导体材料解决方案，大大降低了全球能源使用和消耗。
广告作为一家快速发展的硅谷无晶圆厂公司，QROMIS及其制造合作伙伴和许可方-先锋国际半导体公司(VIS)和信etsu化学有限公司-是快速增长的数十亿美元节能氮化镓(GaN)电子行业的主要参与者之一，其颠覆性和专利工程衬底创新称为QST®(QROMIS衬底技术)，实现了无与伦比的成本。GaN电源，射频，微led应用的性能和应用规模。
商用200mm QST®衬底和GaN-on-QST®外延晶片目前由QROMIS和信etsu Chemical提供(从2024年第四季度开始采样300mm QST®)，用于高性能GaN电源，RF和微led器件应用。与此同时，VIS作为一家纯代工服务提供商，为所有行业参与者生产200毫米Gen1 GaN-on-QST®650V电源器件。专为工业和汽车应用而设计的Gen2 650V器件将于2024年下半年推出，随后将于2025年推出1200 V器件。
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